光晶体三极管光场效应晶体管及其相关光电器件

光晶体三极管（GaAs MESFET）以其卓越的特性被用于极高速光探测器，其响应时间可低至50皮秒，甚至更短，增益在适宜的工作条件下可超过10。然而，其主要局限性在于光敏面积相对较小。

内光电效应的代表器件有光电二极管、光电三极管、光电晶体管等。光电二极管。光电二极管（Photodiode）是一种利用内光电效应原理制成的器件，是一种半导体二极管结构，它能够将光信号转换为电信号。

三极管、光敏三极管、CMOS场效应管、VMOS场效应管、IGBT场效应管-晶体管复合管，单向（双向）可控硅，单结管、二极管、双基二极管、发光二极管、红外线发射二极管、红外线探测二极管，雪崩二极管，光电二极管、变容二极管、触发二极管、激光二极管、肖特基二极管、磁敏二极管、各种Ic（集成电路）。

光晶体管（phototransistor）由双极型晶体管或场效应晶体管等三端器件构成的光电器件。光在这类器件的有源区内被吸收，产生光生载流子，通过内部电放大机构，产生光电流增益。光晶体管三端工作，故容易实现电控或电同步。