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1、光晶体三极管(GaAs MESFET)以其卓越的特性被用于极高速光探测器,其响应时间可低至50皮秒,甚至更短,增益在适宜的工作条件下可超过10。然而,其主要局限性在于光敏面积相对较小。
2、内光电效应的代表器件有光电二极管、光电三极管、光电晶体管等。光电二极管。光电二极管(Photodiode)是一种利用内光电效应原理制成的器件,是一种半导体二极管结构,它能够将光信号转换为电信号。
3、一种光电器件的工作原理。photofet是photofieldeffecttransistor的缩写,中文叫光场效应晶体管或光场效应管。是一种利用光照来控制场效应晶体管(FET)的导通状态的器件,类似于光敏三极管。
4、半导体三极管主要分为两大类:双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)。晶体管有三个极;双极性晶体管的三个极,分别由N型跟P型组成发射极(Emitter)、基极 (Base) 和集电极(Collector);场效应晶体管的三个极,分别是源极(Source)、栅极(Gate)和漏极(Drain)。
5、光电耦合器件是一种将光信号与电信号相互转换的器件。它通过光电效应和电气特性的结合来实现信号的传输和处理。常见的光电耦合器件包括光电二极管和光电三极管等,广泛应用于通信、计算机等领域。光敏晶体管是一种基于半导体材料的光电器件。
1、半导体具有特性有:可掺杂性、热敏性、光敏性、负电阻率温度、可整流性。半导体材料除了用于制造大规模集成电路之外,还可以用于功率器件、光电器件、压力传感器、热电制冷等用途;利用微电子的超微细加工技术,还可以制成MEMS(微机械电子系统),应用在电子、医疗领域。
2、热敏特性 半导体的电阻率随温度变化会发生明显地改变。例如纯锗,湿度每升高10度,它的电阻率就要减小到原来的1/2。温度的细微变化,能从半导体电阻率的明显变化上反映出来。利用半导体的热敏特性,可以制作感温元件——热敏电阻,用于温度测量和控制系统中。
3、半导体的特性包括热敏性、光敏性、掺杂性、能带结构、载流子传输。热敏性 半导体的热敏性是指其导电性能随温度的变化而变化的特性。当温度升高时,半导体的原子或分子的振动幅度变大,使得电子的运动受到更大的阻碍,导致其导电性能增强。反之,温度降低时,半导体的导电性能会相应减弱。
4、半导体材料的特性:热敏特点;光敏特点;掺杂特点。热敏特点。半导体器件电阻器随气温变化会出现显著地改变。比如纯锗,湿度每上升10度,它电阻器就需要减少到原先的1/2。湿度的细微转变,可以从半导体电阻器的很大变化上体现出来。
5、半导体具有四个主要特性,即:电阻特性: 半导体的电阻随温度的变化而变化。通常情况下,半导体的电阻随着温度的升高而增加,这与金属不同,金属的电阻一般随温度升高而减小。导电性: 半导体的电导率介于导体和绝缘体之间。
1、金属导电能力强,半导体一般情况下导电能力弱,但在一定条下可以转化为导电能力强的导体。
2、热敏性 半导体材料的电阻率与温度有密切的关系。温度升高,半导体的电阻率会明显变小。例如纯锗(Ge),温度每升高10度,其电阻率就会减少到原来的一半。(2)光电特性 很多半导体材料对光十分敏感,无光照时,不易导电;受到光照时,就变的容易导电了。
3、金属,温度越低,导电性越好;半导体,温度越高,导电性越好。
1、光电显示器件是一种能够将电能转换为光能进行显示的设备。以下是几种主要的光电显示器件类型:液晶显示器件 液晶显示器件是目前应用最广泛的一种显示器件。它利用液晶材料的光电效应,通过施加电压来控制液晶分子的排列,从而改变光的透过性,实现图像显示。
2、光电器件是指根据光电效应制作的器件称为光电器件,也称光敏器件。光电器件的种类很多,但其工作原理都是建立在光电效应这一物理基础上的。光电器件的种类主要有:光电管、光电倍增管、光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、光电池、光电耦合器件。光电导器件 半导体材料的电导率是由载流子浓度决定的。
3、半导体光电器件是一种关键的电子元件,它能将电能转化为光能,其中主要包括发光二极管、红外光源和半导体发光数字管等几种类型。发光二极管,其内部结构为PN结,具有单向导电性。当PN结施加正向电压时,电子从N区扩散至空间电荷区,与空穴复合释放能量,大部分能量以光的形式释放,实现了电能到光能的高效转换。
4、组成:光敏电阻器是利用半导体的光电导效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器,又称为光电导探测器;入射光强,电阻减小,入射光弱,电阻增大。还有另一种入射光弱,电阻减小,入射光强,电阻增大。
5、光电子器件主要包括以下种类:光电探测器、光电传感器、光电倍增管、光电开关。光电探测器是光电子器件中的重要一类。它们主要用于将光信号转换为电信号,实现光的检测与测量。这类器件广泛应用于通信、光谱分析、遥感等领域。光电传感器则是一种能够将光信号转换为电信号输出的装置。