光电探测器响应度为多少

暗电流低。利用异质结分离效应，光敏直径75微米芯片的暗电流可达到0.1nA。 2．光响应度高。1310nm 达0.85～0.90 A/W，1550nm达0.95～05 A/W。 3．频率高。光敏直径75微米芯片的截止频率为5GHz以上。 4．性能可靠。采用氧化铝为钝化掩膜，芯片性能在10年以上。 5．制造成本低。

探测器光谱响应极限指的是光谱辐射计在某个频率或波长处测量最小可能信号强度。这个极限值取决于仪器本身的特性，如探测器的噪声水平、光电转换效率、暗电流等等。通常来说，探测器的光谱响应极限越低，证明其测量能力越高，也就意味着可以探测到更微弱的光信号。

Si光电探测器（PDs）作为器件最常用的基础组分，以其宽频带光谱响应、超高响应率、以及低成本制造工艺等特点而被广泛应用于光电器件中。然而，受到高反射系数和紫外辐射的浅穿透深度的限制，Si PDs对紫外（UV）光响应很低（200300 nm范围内，外量子效率接近0%）。

光探测器响应度计算

响应率光伏探测器的响应率与器件的工作温度及少数载流子浓度和扩散有关，而与器件的外偏压无关，这是与光电导探测器的不相同的。

对于PD/PIN类型光电探测器，其输出电流主要由两个因素决定：器件响应度和接收光功率。对于常见的硅探测器、红外探测器，其电流响应度约为0.1~1 A/W，即在1uW光照下，输出0.1~1 uA的光电流。常见光电探测器工作电流范围在1E-9~1E-5 A（1nA~10uA）这个范围。

就是输出电流（电压）对比输入光功率的大小。例如灵敏度10V/W，表示1W输入功率对应10V的电压输出。

探测器光谱响应极限指的是光谱辐射计在某个频率或波长处测量最小可能信号强度。这个极限值取决于仪器本身的特性，如探测器的噪声水平、光电转换效率、暗电流等等。通常来说，探测器的光谱响应极限越低，证明其测量能力越高，也就意味着可以探测到更微弱的光信号。

对于微弱光信号，器件必须具备足够的灵敏度，以保证信噪比和输出电信号的强度；光电探测器还需与光信号的调制形式、信号频率及波形相匹配，以确保输出波形无频率失真和良好的时间响应。这通常意味着选择响应时间短或上限频率高的器件，并在电路上同样注意动态参数的匹配。

采用硅材料的雪崩式光电二极管的响应波长范围

波长在370nm以下，透射深度大于20nm。硅是可见光探测领域最理想的材料之一，也是紫外光电传感的常用材料。硅材料对紫外光的响应较低，这是由于紫外光在硅材料中的透射深度极浅（波长在370nm以下，透射深度大于20nm）。载流子复合效应导致光响应随入射光波长的减小而迅速下降。

你可以找一下silicon sensor的光电二极管。我们用的是AD230-LCC6，波长635nm，雪崩二极管。

在光电探测领域，不同的半导体材料被用于制造雪崩光电二极管（APD），以适应各种波长的光检测。硅材料，因其对可见光和近红外线的良好响应，且低的倍增噪声，适用于一般应用。锗材料适合检测短波长的红外线，但噪声略大。